Beschrijving
Gebruik deze universele USB lader om uw portable apparaten via de USB type C aansluitingen op te laden.
Kenmerken
- compact design: ideaal voor thuis, op werk of onderweg
- dankzij ingangsspanning van 100-240 volt geschikt voor wereldwijd gebruik
- krachtige compacte lader dankzij Gallium Nitride (GaN) technologie
- ondersteunt Power Delivery laden
Specificaties USB-C poorten
- 5 Volt | tot 3 Ampère | tot 15 Watt
- 9 Volt | tot 3 Ampère | tot 27 Watt
- 12 Volt | tot 2,92 Ampère | tot 35 Watt
- 15 Volt | tot 2,33 Ampère | tot 35 Watt
- 20 Volt | tot 1,75 Ampère | tot 35 Watt
Let op! Aangepaste laadspecificaties bij gebruik van beide poorten
Indien u beide poorten tegelijkertijd gebruikt leveren beide poorten samen 35W. Dit betekent dat het laden van een apparaat langer kan duren wanneer u beide poorten tegelijkertijd gebruikt.
Specificaties
- uitgang: 2x USB-C (vrouwelijk)
- ingang: CEE 7/16 (mannelijk)
- ingangsvoltage: 100-240 V
- maximaal vermogen: 35 W
- USB-C poort: Power Delivery
- technologie: GaN
- behuizing: polycarbonaat
- conform: RoHS, CE
- kleur: zwart
- garantie: 2 jaar
Power Delivery Negotiation
USB Power Delivery (PD) maakt het mogelijk om spanning dynamisch te modificeren dankzij de ingebouwde chip. Het standaard beschikbare voltage van 5 Volt kan hierdoor apart geconfigureerd worden naar maximaal 20 Volt. De stroomsterkte kan dankzij de chip verhoogd worden naar maximaal 5A waardoor het technisch mogelijk is om 100 Watt aan stroom te leveren via één enkele USB-C kabel. Deze lader beschikt over een geïntegreerde chip waardoor deze Power Delivery functie beschikbaar is.
Kleiner formaat en meer laadkracht dankzij Gallium Nitride (GaN)
Gallium Nitride (GaN) is een nieuw materiaal dat gebruikt wordt in halfgeleiders die nodig zijn voor de ontwikkeling van laders. Dankzij Gallium Nitride wordt het mogelijk om een krachtige lader te voorzien van een compacte behuizing. Halfgeleiders op basis van GaN zijn tot wel 15 keer kleiner dan normale goedkopere halfgeleiders. Ook gaan GaN laders energieverlies tegen: bij een GaN halfgeleider gaat zo’n 40% minder stroom verloren.